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Infineon Technologies IPP052NE7N3GXKSA1
| Artikelnummer: | IPP052NE7N3GXKSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.94 |
| 10+ | $2.64 |
| 100+ | $2.122 |
| 500+ | $1.7434 |
| 1000+ | $1.4446 |
| 2000+ | $1.3449 |
| 5000+ | $1.2951 |
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Infineon Technologies IPP052NE7N3GXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPP052NE7N3GXKSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 91µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 80A, 10V Verlustleistung (max) 150W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4750 pF @ 37.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) Grundproduktnummer IPP052 IPP052NE7N3GXKSA1 Einzelheiten PDF [English] IPP052NE7N3GXKSA1 PDF - EN.pdf -
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